6H炭化けい素/二酸化けい素の界面における捕獲欠陥の構造

MEYER D J; BOHNA N A; LENAHAN P M; LELIS A J

文献

J-GLOBAL ID：200902247490916129 整理番号：04A0359159

6H炭化けい素/二酸化けい素の界面における捕獲欠陥の構造

Structure of 6H silicon carbide/silicon dioxide interface trapping defects

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巻： 84 号： 17 ページ： 3406-3408 発行年： 2004年04月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体の格子欠陥

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