文献
J-GLOBAL ID:200902247534613498 整理番号:03A0645007
平たん構造からの飛躍:Fin型チャネルFET構造の必然性
Fin-channel structure: An inevitable change from planar CMOS device structure
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著者 (1件):
久本大
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(
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資料名:
応用物理 (JSAP International)
応用物理 について
JST資料番号 F0252A ですべてを検索
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巻:
72
号:
9
ページ:
1136-1142
発行年:
2003年09月10日
JST資料番号:
F0252A
ISSN:
0369-8009
CODEN:
OYBSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
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抄録/ポイント
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引用文献 (26件):
MOORE, G. E. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C. 1975, 11
HISAMOTO, D. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C. 2001, 429
HISAMOTO, D. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C. 1989, 833
HISAMOTO, D. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., Washington, D. C. 1991, 959
HISAMOTO, D. Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., San Francisco. 1998, 1032
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