ansa-メタロセンジルコニウム及びハフニウム前駆体を用いた液体注入MOCVD及びALDによるZrO<sub>2</sub>及びHfO<sub>2</sub>薄膜の析出

BLACK Kate; ASPINALL Helen C.; JONES Anthony C.; PRZYBYLAK Katarzyna; BACSA John; CHALKER Paul R.; TAYLOR Stephen; ZHAO Ce Zhou; ELLIOTT Simon D.; ZYDOR Aleksandra; HEYS Peter N.

文献

J-GLOBAL ID：200902247581907505 整理番号：08A1132711

ansa-メタロセンジルコニウム及びハフニウム前駆体を用いた液体注入MOCVD及びALDによるZrO₂及びHfO₂薄膜の析出

Deposition of ZrO₂ and HfO₂ thin films by liquid injection MOCVD and ALD using ansa-metallocene zirconium and hafnium precursors

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巻： 18 号： 38 ページ： 4561-4571 発行年： 2008年10月14日
JST資料番号： W0204A ISSN： 0959-9428 CODEN： JMACEP 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ansa-メタロセン錯体[(Cp₂]CMe₂)MMe₂]及び[(Cp₂]CMe₂)MOMe](M=Zr,Hf;Cp=C₅H₅;Me=CH₃)を合成した。単結晶X線回折及び密度汎関数計算によって,Cp₂]CMe₂キレート配位子を含む擬四配位単量体錯体であることを示した。これらの錯体を用い,液体注入MOCVD及び原子層析出(ALD)によって,ZrO₂及びHfO₂薄膜を調製した。MOCVDで成長したZrO₂薄膜は非晶質であるが,HfO₂薄膜は正方晶系を示した。Auger電子スペクトルから,すべての薄膜が残留炭素を含み,ALDで成長した薄膜では,MOCVDで成長した薄膜よりもその量が少ないことを示した。[Al/MO₂/n-Si] MOSC(金属酸化物半導体キャパシタ)構造における容量-電圧及び電流-電圧データから,ALD析出薄膜が±2MVcm^-1で6×10^-7Acm^-2以下の低い漏れ電流密度を有することを示した。

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酸化物薄膜 , 電気化学一般 , 第4族,第5族元素の錯体

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ansa-メタロセンジルコニウム及びハフニウム前駆体を用いた液体注入MOCVD及びALDによるZrO2及びHfO2薄膜の析出

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