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J-GLOBAL ID：200902247583418943   整理番号：05A0067647

低電圧駆動の高密度強誘電体ランダムアクセスメモリに応用するための極薄強誘電体SrBi₂Ta₂O₉膜とキャパシタスタックモジュールの集積

Integration of stacked capacitor module with ultra-thin ferroelectric SrBi₂Ta₂O₉ film for high density ferroelectric random access memory applications at low voltage operation

著者 (9件)： MOERT M (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  MIKOLAJICK T (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  SCHINDLER G (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  NAGEL N (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  KASKO I (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  HARTNER W (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  DEHM C (Infineon Technol. AG, Dresden, DEU) ,  KOHLSTEDT H (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER R (RWTH Univ. Aachen, Aachen, DEU)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 473  号： 2  ページ： 328-334  発行年： 2005年02月14日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt(100nm)/Ti(10nm)/SiO<sub>2<...

シソーラス用語： ストロンチウム化合物 ,...
準シソーラス用語： MFM構造

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧駆動 ,  高密度 ,  強誘電体 ,  ランダムアクセスメモリ ,  応用 ,  極 ,  集積