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J-GLOBAL ID：200902247878246249   整理番号：09A1237465

HfO₂ゲート絶縁体を用いた常時オフモードGaNおよびAlGaN/GaN MOSFETの製造

Fabrication of normally-off mode GaN and AlGaN/GaN MOSFETs with HfO₂ gate insulator

著者 (8件)： SUGIURA S. (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  HAYASHI Y. (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  KISHIMOTO S. (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  KISHIMOTO S. (Venture Business Lab., Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  MIZUTANI T. (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  KURODA M. (Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN) ,  UEDA T. (Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN) ,  TANAKA T. (Semiconductor Device Res. Center Semiconductor Co. Panasonic Corp., 1 Kotari-Yakemachi, Nagaokakyou 617-8520, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 1  ページ： 79-83  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート酸化物に高誘電率HfO₂を用いるIII族窒化物金属-酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。二つのタイプのMOSFET,すなわちGaN-MOSFETとAlGaN/GaN-MOSFETについて研究した。GaN-MOSFETの場合には,45mS/mmの最大相互コンダクタンスが得られた。これはSiO₂ゲート酸化物を用いた常時オフGaN-MOSFETについて知られる限りでは報告されている値よりも7倍も大きい値である。このデバイスの性能を改善するために,チャネルに高品質AlGaN/GaNヘテロ界面を用いたAlGaN/GaN-MOSFETを作製した。最大の相互コンダクタンスとドレイン電流は,それぞれ,160mS/mmと840mAである。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  半導体材料 ,  窒化ガリウム ,  *MOSFET ,  ゲート【半導体】 ,  素子構造 ,  相互コンダクタンス ,  *スイッチングトランジスタ ,  電流電圧特性 ,  バンド構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： HfO2 ,  ゲート絶縁体 ,  GaN ,  AlGaN ,  MOSFET