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J-GLOBAL ID:200902247917521791   整理番号:09A0767122

AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的性質における不動態皮膜の応力影響の数値解析

Numerical analysis of impact of stress in passivation films on electrical properties in AlGaN/GaN heterostructures
著者 (2件):
資料名:
巻:号: 14  ページ: 1045-1050 (J-STAGE)  発行年: 2009年 
JST資料番号: U0039A  ISSN: 1349-2543  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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(0001)AlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気的性質におけるSchottky接触及び不動態皮膜間機械的応力の差による力の影響を,エッジフォースモデルのフレームワークで数値解析した。圧縮(引張り)不動態皮膜が,GaNチャネルのSchottky接触の下に負(正)圧電電荷を誘導した。そして浅い(深い)バイアス電圧で二次元電子ガス濃度のフォースオンセットをもたらした。±0.5GPa・μmのエッジフォースによるオンセットでのバイアス電圧の変化は,0.5μm Schottky接触のダイオードに対し1または2Vであった。これにより,設計した応力の不動態皮膜が,AlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御に重大な役割を果たすことを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
引用文献 (10件):
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