文献

J-GLOBAL ID：200902248058494457   整理番号：03A0284292

シュードモルフィック・シリコンゲルマニウム/シリコンヘテロ構造への酸素注入による緩和シリコンゲルマニウム-オン-絶縁体基板

Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure

著者 (9件)： AN Z (City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  WU Y (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Shanghai, CHN) ,  ZHANG M (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Shanghai, CHN) ,  LIN C (Shanghai Inst. Microsystem and Information Technol., Shanghai, CHN) ,  FU R K Y (City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  CHEN P (City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  CHU P K (City Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  CHEUNG W Y (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN) ,  WONG S P (Chinese Univ. Hong Kong, Hong Kong, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 15  ページ： 2452-2454  発行年： 2003年04月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SIMOX(酸素注入分離)変形プロセスを用いて,傾斜SiGe...

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,...
準シソーラス用語： シュードモルフィック成長 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0284292&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ヘテロ構造 ,  酸素注入 ,  緩和 ,  シリコンゲルマニウム ,  絶縁体