文献

J-GLOBAL ID：200902248286063873   整理番号：06A1031924

m面GaN単結晶上の無転位m面InGaN/GaN発光ダイオード

Dislocation-Free m-Plane InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on m-Plane GaN Single Crystals

著者 (6件)： OKAMOTO Kuniyoshi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  OHTA Hiroaki (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKAGAWA Daisuke (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  SONOBE Masayuki (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  ICHIHARA Jun (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  TAKASU Hidemi (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 42-45  ページ： L1197-L1199  発行年： 2006年11月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貫通転位または積層欠陥をもたないm面(10-10)非極性In...

シソーラス用語： *発光ダイオード ,...
準シソーラス用語： MOVPE

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A1031924&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (24件)：

• BERNARDINI, F. Phys. Rev. B. 1997, 56, R10024
• MILLER, D. A. B. Phys. Rev. B. 1985, 32, 1043
• TAKEUCHI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, L382
• WALTEREIT, P. Nature (London). 2000, 406, 865
• NG, H. M. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 4369

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  単結晶 ,  転位 ,  InGaN ,  発光ダイオード