高アスペクト比トレンチ充填によって製作した200V超接合MOSFET

YAMAUCHI Shoichi; SHIBATA Takumi; NOGAMI Shoji; YAMAOKA Tomonori; HATTORI Yoshiyuki; YAMAGUCHI Hitoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902248803584978 整理番号：07A0739440

高アスペクト比トレンチ充填によって製作した200V超接合MOSFET

200V Super Junction MOSFET Fabricated by High Aspect Ratio Trench Filling

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Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

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巻： 18th ページ： 65-68 発行年： 2006年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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超接合(SJ)MOSFETは破壊電圧と比オン抵抗間のトレード...

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