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J-GLOBAL ID：200902248980748425   整理番号：08A1030242

可変形状ビームパターン発生器を用いた32nmインプリントマスク

32nm imprint masks using variable shape beam pattern generators

著者 (10件)： SELINIDIS Kosta (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  THOMPSON Ecron (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  SCHMID Gerard (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  STACEY Nick (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  PEREZ Joseph (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  MALTABES John (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  RESNICK Douglas J. (Molecular Imprints, Inc., TX, USA) ,  YEO Jeongho (Samsung Electronics Co., Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM Hoyeon (Samsung Electronics Co., Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  EYNON Ben (Samsung Electronics Co., Ltd, Gyeonggi-Do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7028  号： Pt.1  ページ： 70280R.1-70280R.10  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステップおよびフラッシュインプリントリソグラフィー(S-FIL)は,高価な多重素子,高品質の光学系,先進の光源を使わなくても,サブ100nmの特徴分解能と精密なオーバーレイが得られる独特の方法である。しかし,サブ32nmデバイスの製作では実用的な鋳型の製作が主要な課題になる。可変形状電子ビーム発生器を用いた従来のインプリントマスク製作は,高速化学増幅レジストの使用による分解能の制約があった。ここでは高分解能非化学増幅レジストプロセスを応用して,38nm半ピッチNANDフラッシュゲートレベル鋳型の製作に成功し,全視野にわたり優れた分解能,CD均一性および画像配置を得ることができた。この鋳型を使用して300mmウエハに優れたパターン品質のデバイスをインプリントし,32nm半ピッチまでの試験形状を分解できた。また,混合および整合試験での3σ誤差は30nm以下のオーバーレイを示した。現在は22nm半ピッチ回路のための分解能とオーバーレイの改善を目指している。

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *マスク ,  *電子ビーム加工 ,  転写 ,  *鋳型【鋳造】 ,  空間分解能 ,  表面処理 ,  レジスト ,  NAND回路 ,  フラッシュメモリ ,  ゲート回路 ,  *回路パターン形成
準シソーラス用語： *インプリントリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 可変形状ビーム ,  パターン発生器