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J-GLOBAL ID：200902249093406605   整理番号：08A0251924

LaNiO₃/SiとIrO₂/Si基板上のLaとNbを同時ドープしたマルチフェロイックBiFeO₃薄膜

La and Nb codoped BiFeO3 multiferroic thin films on LaNiO3/Si and IrO2/Si substrates

著者 (5件)： CHENG Z. X. (Inst. for Superconducting and Electronic Materials, Univ. of Wollongong, New South Wales 2522, AUS) ,  WANG X. L. (Inst. for Superconducting and Electronic Materials, Univ. of Wollongong, New South Wales 2522, AUS) ,  KIMURA H. (National Inst. for Material Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  OZAWA K. (National Inst. for Material Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN) ,  DOU S. X. (Inst. for Superconducting and Electronic Materials, Univ. of Wollongong, New South Wales 2522, AUS)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 9  ページ： 092902  発行年： 2008年03月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積法により酸化物下部電極,LaNiO₃/Si及びIrO₂/Si上にNbとLaを同時ドープしたBiFeO₃薄膜を作製した。LaNiO₃上のドープしたBiFeO₃薄膜キャパシタは飽和ヒステリシス曲線で残留分極が75μC/cm²以上であった。IrO₂上のLaとNbを同時ドープしたBiFeO₃薄膜キャパシタでは残留分極は高いが,漏れ電流からの影響が著しい。さらに,LaNiO₃下部電極上のドープしたBiFeO₃膜はすべて室温で弱い強磁性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電性 ,  強磁性 ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  ドーピング ,  ニオブ ,  ランタン ,  レーザ蒸着 ,  *誘電体薄膜 ,  電極 ,  ランタン化合物 ,  ニッケル酸塩 ,  酸化イリジウム ,  基板 ,  ケイ素 ,  *MOS構造 ,  残留分極 ,  漏れ電流 ,  疲れ ,  弱い強磁性
準シソーラス用語： マルチフェロイック ,  疲労

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： LaNiO3 ,  Si ,  Si基板 ,  La ,  Nb ,  ドープ ,  マルチフェロイック ,  BiFeO3 ,  薄膜