文献

J-GLOBAL ID：200902249146377718   整理番号：04A0586134

Si基板上のAlGaN/GaNヘテロ構造の大電流動作用の電界効果トランジスタ(HFETs)

AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors (HFETs) on Si Substrates for Large-Current Operation

著者 (7件)： IWAKAMI S (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  YANAGIHARA M (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  MACHIDA O (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  CHINO E (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  KANEKO N (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  GOTO H (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  OHTSUKA K (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 7A  ページ： L831-L833  発行年： 2004年07月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相エピタクシー(MOVPE)により2インチSi...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• 1) S. Yoshida: Oyo Buturi 68 (1999) 787 [in Japanese].
• 2) S. Yoshida, H. Ishii, J. Li, D. Wang and M. Ichikawa: Solid-State Electron. 47 (2003) 589.
• 3) N.-Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang and T. P. Ma: IDEM’01 Tech. Digest (2001) 589.
• 4) G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska and M. S. Shur: Electron. Lett. 36 (2000) 2043.
• 5) A. Saitoh, K. Takada, M. Kuraguchi, I. Ohmura, K. Tuda, T. Ogura and H. Ohashi: Ext. Abstr. (50th Spring Meeting. 2003);

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  大電流 ,  電界効果トランジスタ