GaAs<sub>1-x</sub>Bi<sub>x</sub>の分子ビームエピタクシーによる成長

TIXIER S; ADAMCYK M; TIEDJE T; FRANCOEUR S; MASCARENHAS A; WEI P; SCHIETTEKATTE F

文献

J-GLOBAL ID：200902249179090147 整理番号：03A0258119

GaAs_1-xBi_xの分子ビームエピタクシーによる成長

Molecular beam epitaxy growth of GaAs_1-xBi_x

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資料名：
巻： 82 号： 14 ページ： 2245-2247 発行年： 2003年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Bi濃度が3.1%までのGaAs_1-x...

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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GaAs1-xBixの分子ビームエピタクシーによる成長

GaAs_1-xBi_xの分子ビームエピタクシーによる成長