対向ターゲット直流スパッタリングによるSi(111)上半導体β-FeSi<sub>2</sub>薄膜の直接エピタキシャル成長

YOSHITAKE T.; INOKUCHI Y.; YURI A.; NAGAYAMA K.

文献

J-GLOBAL ID：200902249524499479 整理番号：06A0370645

対向ターゲット直流スパッタリングによるSi(111)上半導体β-FeSi₂薄膜の直接エピタキシャル成長

Direct epitaxial growth of semiconducting β-FeSi2 thin films on Si(111) by facing targets direct-current sputtering

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巻： 88 号： 18 ページ： 182104-182104-3 発行年： 2006年05月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半導体β-FeSi₂薄膜を,FeSi<...

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半導体薄膜

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対向ターゲット直流スパッタリングによるSi(111)上半導体β-FeSi2薄膜の直接エピタキシャル成長

対向ターゲット直流スパッタリングによるSi(111)上半導体β-FeSi₂薄膜の直接エピタキシャル成長