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J-GLOBAL ID：200902249697443983   整理番号：04A0166404

フラッシュランププロセッシングにより改良されたSi上の3C-SiCエピタキシャル成長膜

Improved 3C-SiC Films Epitaxially Grown on Si by Flash Lamp Processing

著者 (5件)： STOEMENOS J (Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU) ,  PANKNIN D (Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU) ,  EICKHOFF M (Daimler Chrysler AG, Muenchen, DEU) ,  HEERA V (Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU) ,  SKORUPA W (Forschungszentrum Rossendorf, Dresden, DEU)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 151  号： 2  ページ： G136-G143  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥密度が高く,変形しやすいためにこれまで実用化されていない...

シソーラス用語： キセノンランプ ,...

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分類 (2件)： 非金属化合物  (CD01070R) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  3C-SiC ,  エピタキシャル成長