酸化ハフニウムを用いた不揮発性抵抗メモリの低パワースイッチング

LEE Heng-Yuan; CHEN Pang-Shiu; WANG Ching-Chiun; MAIKAP Siddheswar; TZENG Pei-Jer; LIN Cha-Hsin; LEE Lurng-Shehng; TSAI Ming-Jinn

文献

J-GLOBAL ID：200902249937327200 整理番号：07A0478840

酸化ハフニウムを用いた不揮発性抵抗メモリの低パワースイッチング

Low-Power Switching of Nonvolatile Resistive Memory Using Hafnium Oxide

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資料名：
巻： 46 号： 4B ページ： 2175-2179 発行年： 2007年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

非化学量論組成の酸化ハフニウム(HfO<sub>x</sub...

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半導体集積回路

引用文献 (11件)：

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