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J-GLOBAL ID：200902250270419192   整理番号：05A0505580

ポーラスシリコンを用いるレーザー脱離イオン化質量分析の合成高分子への応用

Laser Desorption/Ionization Mass Spectrometry on Porous Silicon and Its Application to Synthetic Polymers

著者 (4件)： 奥野昌二 (科学技術振興機構) ,  下前幸康 (関西大 工) ,  和田芳直 (科学技術振興機構) ,  荒川隆一 (科学技術振興機構)
資料名： 分析化学
巻： 54  号： 6  ページ： 439-447  発行年： 2005年06月05日 
JST資料番号： F0008A  ISSN： 0525-1931  CODEN： BNSKAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マトリックス支援レーザー脱離イオン化(matrix-assi...

シソーラス用語： *MALDI-MS ,...
準シソーラス用語： DIOS

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分類 (2件)： 質量分析  (CC03013N) ,  高分子固体の構造と形態学  (CG02022M)

引用文献 (59件)：

• 1) K. Tanaka, H. Waki, Y. Ido, S. Akita, Y. Yoshida, T. Yoshida: Rapid Commun. Mass Spectrom., 2, 151 (1988).
• 2) M. Karas, D. Bachmann, F. Hillenkamp: Anal. Chem., 57, 2935 (1985).
• 3) M. Karas, D. Bachmann, U. Bahr, F. Hillenkamp: Int. J. Mass. Spectrom., 78, 53 (1987).
• 4) M. Karas, F. Hillenkamp: Anal. Chem., 60, 2299 (1988).
• 5) C. Fenselau: Anal. Chem., 69, 661A (1997).

タイトルに関連する用語 (7件)： ポーラスシリコン ,  レーザー ,  脱離 ,  イオン化 ,  質量分析 ,  合成高分子 ,  応用