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J-GLOBAL ID：200902250819643812   整理番号：09A1223435

応力アシスト磁化反転用スピン注入型垂直磁化GMR多層膜の作製

Stress assisted magnetization reversal of a spin valve structural perpendicular GMR multi-layer

著者 (3件)： 神保和弥 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  齋藤直哉 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  中川茂樹 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 222(MR2009 21-28)  ページ： 37-40  発行年： 2009年10月01日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 垂直MRAMの書き込み時の消費電力を低減させる手法である応力アシスト磁化反転(Stress Assisted Magnetization Reversal:SAMR)に使用する超磁歪材料Terfenol-Dを用いたCu(15nm)/Terfenol-D(10nm)/Cu(3nm)/TbFeCo(30nm)/Cu(15nm)のGMR多層膜を作製した。この多層膜の上下の酸化防止層Cu(15nm)によって,100°C,2分間の加熱を経ても垂直磁化を失わないことが確認できた。また,このGMR多層膜にSAMRを適用した際の垂直磁化の変化を観測した。その結果,279MPaの応力印加によりフリー層の磁化のみを面内方向に倒れた事を異常Hall効果による磁化過程観測により確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 磁化反転 ,  注入 ,  垂直磁化 ,  多層膜 ,  異常Hall効果 ,  巨大磁気抵抗効果 ,  *MRAM ,  *磁性薄膜メモリ
準シソーラス用語： スピン注入 ,  応力アシスト磁化反転 ,  GMR効果

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (8件)：

• 1) PREJBEANU I. L. Thermally assisted MRAM. J. Phys. Condens. Matter.. (2007) vol.19, p.165218.
• 2) MORIYAMA T. Micro-wave assisted magnetization switching of Ni80Fe20 in magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Lett.. (2007) vol.90, p.152503.
• 3) SAITO N. Improvement of stress-induced magnetization reversal process of DyFeCo thin films. J. Appl. Phys.. (2008) vol.103, p.07A706.
• 4) BORESI A. P. Advanced Mechanics of Materials. Wiley. (1993)
• 5) NISHIMURA N. J. Appl. Phys.. (2002) vol.91, no.8, p.5246.

タイトルに関連する用語 (8件)： 応力 ,  アシスト ,  磁化反転 ,  スピン注入 ,  垂直磁化 ,  GMR ,  多層膜 ,  作製