最小のドレイン電流低下とフラットバンドシフトを持ったHf-ドープとNH<sub>3</sub>-窒化物の高Kゲート誘電体薄膜

文献

J-GLOBAL ID：200902251215829094 整理番号：03A0752277

最小のドレイン電流低下とフラットバンドシフトを持ったHf-ドープとNH₃-窒化物の高Kゲート誘電体薄膜

Hf-doped and NH₃-nitrided high-K gate dielectric thin film with least drain current degradation and flatband voltage shift.

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著者 (9件)：

YANG C W

YANG C W について

(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)