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J-GLOBAL ID：200902251228540484   整理番号：03A0656855

超低消費電力を特徴とする相変化RAMのためのエッジコンタクト型セル

An Edge Contact Type Cell for Phase Change RAM Featuring Very Low Power Consumption

著者 (8件)： HA Y H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  YI J H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  HORII H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  PARK J H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  JOO S H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  PARK S O (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  CHUNG U I (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR) ,  MOON J T (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyungki-Do, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2003  ページ： 175-176  発行年： 2003年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化RAM(PRAM)は,高速性,低消費電力特性,不揮発性...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： メモリセル ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低消費電力 ,  相変化RAM ,  エッジ ,  コンタクト ,  セル