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J-GLOBAL ID：200902251629587211   整理番号：07A1216328

ソースおよびドレイン上の極薄SiN_x膜を持つトンネリング誘電体薄膜トランジスタの製作

Fabrication of tunneling dielectric thin-film transistor with very thin SiN_x films onto source and drain

著者 (5件)： MATSUO Naoto (Dep. of Materials Sci. & Chemistry, Univ. of Hyogo) ,  FUKUSHIMA Atsushi (Dep. of Materials Sci. & Chemistry, Univ. of Hyogo) ,  OHKURA Kensaku (Res. Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ.) ,  HEYA Akira (Dep. of Materials Sci. & Chemistry, Univ. of Hyogo) ,  YOKOYAMA Shin (Res. Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima Univ.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 4  号： 14  ページ： 442-447 (J-STAGE)  発行年： 2007年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル効果を利用してゲートオフ電流を抑制するために提案され...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： ゲート電流

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• [1] H. Hamada, H. Abe, and Y. Miyai, “Development of High-Performance Poly-Si TFTs and Improvement of Image Characteristics for High-Definition LCD Light-Valves, ” IEICE Trans. Electron. (Japanese Edition), vol. J84-C, no. 2, pp. 65-75, Feb. 2001.
• [2] T. Noguchi, J. Y. Kwon, J. S. Jung, J. M. Kim, K. B. Park, H. Lim, D. Y. Kim, H. S. Cho, X. X. Zhang, H. X. Yin, and W. X. Xianyu, “Low Temperature Process for Advanced Si TFT Technology, ” Dig. Intern. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, Kanazawa, Japan, TFT1-1, pp. 281-284, July 2005.
• [3] N. Sasaki, A. Hara, F. Takeuchi, K. Suga, M. Takei, K. Yoshino, and M. Senda, “A New Low-Temperature Poly-Si TFT Technology Realizing Mobility above 500cm²/Vs by Using CW Laser Lateral Crystallization (CLC), ” IEICE Trans. Electron. (Japanese Edition), vol. J85-C, no. 8, pp. 601-608, Aug. 2002.
• [4] H. Watakabe, Y. Tsunoda, T. Sameshima, and M. Kimura, “Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistor, ” Dig. Intern. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays, Kanazawa, Japan, TFT1-3, pp. 45-48, July 2001.
• [5] N. Matsuo, H. Kihara, A. Yamamoto, N. Kawamoto, and H. Hamada, “Proposal and Examination of New Type of TFT with Tunneling Dielectric Film at Both Ends of Channel Fabrication Area, ” IEICE Trans. Electron. (Japanese Edition), vol. J86-C, no. 10, pp. 1070-1078, Oct. 2003.

タイトルに関連する用語 (7件)： ソース ,  ドレイン ,  極 ,  トンネリング ,  誘電体薄膜 ,  トランジスタ ,  製作