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J-GLOBAL ID：200902251690936326   整理番号：06A0300829

分子線エピタクシーにより成長したN極性InN膜に対するエピタキシャル温度の効果

Effect of epitaxial temperature on N-polar InN films grown by molecular beam epitaxy
著者 (4件)：
WANG Xinqiang

WANG Xinqiang について

(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)

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CHE Song-bek

CHE Song-bek について

(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)

Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ... について

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ISHITANI Yoshihiro

ISHITANI Yoshihiro について

(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)

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YOSHIKAWA Akihiko

YOSHIKAWA Akihiko について

(Dep. of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, Japan; Center ...)

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資料名：
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

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巻： 99  号： 7  ページ： 073512-073512-5  発行年： 2006年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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プラズマ支援分子線エピタクシーによりGaNテンプレート上に4...
シソーラス用語：
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*窒化インジウム

窒化インジウム について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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分子線エピタクシー

分子線エピタクシー について

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成長

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極性

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エピタキシャル

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