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J-GLOBAL ID：200902251707308871   整理番号：03A0457492

Cuメタライゼーション用の立方晶Ta拡散障壁の新しい堆積法

A new method for deposition of cubic Ta diffusion barrier for Cu metallization

著者 (6件)： YUAN Z L (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  ZHANG D H (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  LI C Y (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  PRASAD K (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  TAN C M (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  TANG L J (Inst. Microelectronics, Singapore, SGP)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 434  号： 1/2  ページ： 126-129  発行年： 2003年06月23日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta膜の堆積に先立ってAr/N₂プラズ...

シソーラス用語： *銅 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  メタライゼーション ,  立方晶 ,  Ta ,  拡散障壁 ,  堆積