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J-GLOBAL ID：200902251709516811   整理番号：09A1279046

-超高速スイッチングに伴うノイズ電流の対策-SiC素子 近未来電力変換器と問題点

著者 (1件)： 野口季彦 (静岡大)
資料名： 電磁環境工学情報EMC  (月刊EMC)
巻： 22  号： 8  ページ： 30-48  発行年： 2009年12月05日 
JST資料番号： L0077A  ISSN： 0916-2275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿はSiC(Silicon Carbide)電力用半導体スイッチング素子を用いた次世代電力変換器とその問題点,特に,高速スイッチング動作に起因するコモンモードノイズ電流について述べる。この問題を解決するため,二つの方策に焦点が当てられた。一つ目は新しい電力変換トポロジーの提案であり,これらは主回路の激しい電位変動をまったくもたない。もう一つは高周波コモンモードノイズ電流を低減するため,ゲート駆動電源回路に用いられる新しい絶縁技術の提案であり,これによって素子の高dV/dtにほとんど影響されなくなる。現在の半導体市場で入手可能な高速電力用スイッチング素子を用いて実験用プロトタイプが試作され,これら方策の妥当性が実験を通じて検証された。(著者抄録)

シソーラス用語： スイッチング ,  電流 ,  半導体素子 ,  *電力変換器 ,  *スイッチング素子 ,  *炭化ケイ素 ,  ゲート回路 ,  雑音低減
準シソーラス用語： コモンモード電流

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (18件)：

• 荒井和雄, 吉田貞史:「Sic素子の基礎と応用」, オーム社, 2003年
• I. Takahashi: “High Power SiC Converter in Future”, Symposium on Future Electron Devices 2000, 2000
• 高尾和人, 八尾勉, 荒井和雄:「SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性」, 電気学会論文誌D, Vol.124, No.9, pp. 917-923, 2004年
• J. Rodriguez, J. Lai, and F. Z. Peng: “Multilevel Inverters: A Survey of Topologies, Controls, and. Applications”, IEEE Trans. Ind. Elec., Vol.49, No.4, 2002
• A. Nabae, I. Takahashi, and H. Akagi: “A New Neutral-Point-Clamped PWM Inverter”, IEEE Trans. Ind. Appl., Vol.IA-17, No.5, pp. 518-523, 1981

タイトルに関連する用語 (7件)： スイッチング ,  ノイズ ,  対策 ,  SiC素子 ,  未来 ,  電力変換器 ,  問題点