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J-GLOBAL ID：200902260272704620   整理番号：04A0667970

SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性

High di/dt Switching Characteristics of a SiC Schottky Barrier Diode

著者 (3件)： 高尾和人 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ) ,  八尾勉 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ) ,  荒井和雄 (産業技術総合研 パワーエレクトロニクス研究セ)
資料名： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
巻： 124  号： 9  ページ： 917-923  発行年： 2004年09月01日 
JST資料番号： X0451A  ISSN： 0913-6339  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 市販のSiC-SBD(Schottkyバリアダイオード)の標...

シソーラス用語： スイッチングダイオード ,...
準シソーラス用語： 高di/dtスイッチング特性 ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (11件)：

• (1) E. Masada: “Power Electronics in Industrial Strategy for Modern Society”, PCC-Osaka 2002 (2002)
• (2) 資源エネルギー庁省エネルギー対策課:「省エネルギー技術戦略」報告書 (2002)
• (3) H. Ohashi: “Recent Power Devices Trend”, J. IEE Japan, Vol. 122, No. 3, pp. 168-171 (2002-3) (in Japanese)
• 大橋弘通:「最新のパワーデバイスの動向」, 電気学会誌, Vol. 122, No. 3, pp. 168-171 (2002-3)
• (4) 荒井和雄·吉田貞史 共編:SiC素子の基礎と応用, 第1章, オーム社 (2003)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  ショットキーバリアダイオード ,  DI ,  dT ,  スイッチング特性