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J-GLOBAL ID：200902251782162343   整理番号：03A0507057

分子ビームエピタクシーによるInN成長に及ぼす薄膜極性の効果

Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxy

著者 (2件)： XU K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YOSHIKAWA A (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 2  ページ： 251-253  発行年： 2003年07月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の効果を,RHEEDおよび分光学的偏光解析により調べた。...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  InN ,  成長 ,  薄膜 ,  極性