文献

J-GLOBAL ID：200902252017607864   整理番号：08A0550479

SEM-ADC用膜上/膜下異物分類アルゴリズムの開発

著者 (2件)： 宮本敦 (日立 生産技研) ,  本田敏文 (日立 生産技研)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 D  (IEICE Transactions on Information and Systems (Japanese Edition))
巻： J91-D  号： 6  ページ： 1604-1612  発行年： 2008年06月01日 
JST資料番号： S0757C  ISSN： 1880-4535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SEM画像を用いた半導体ウェーハの欠陥自動分類技術(Automatic Defect Classification:ADC)として,検出された異物欠陥が配線パターン形成層の表層上(膜上),表層下(膜下)のどちらに付着しているのかを分類する手法を提案する。同分類基準は欠陥が発生・付着した問題プロセス(成膜後/成膜以前)を特定する上で有力な手掛りとなり,迅速な問題プロセス対策へとつながる。本手法は,膜上異物がその下に存在する配線パターンのエッジを覆い隠す性質に着目し,エッジが欠陥・参照画像間においてともに観測される割合(エッジ保存率)の大小に基づいて膜上/膜下異物を分類する。欠陥領域が配線エッジにまたがっていない孤立異物は判定不可として分類した。また,エッジ強度・方向の一致判定に基づく欠陥領域抽出,及び着目画素の周囲に対する配線エッジ保存判定を組み合わせることにより,SEM画像の明度変化や配線パターンの形状変形に対するロバスト性を向上させた。複数の製造プロセスを含む欠陥画像群において,膜上/膜下/判定不可3クラス分類正解率95.5%(126/132)を達成し,本手法の有効性を立証した。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *ウエハ【IC】 ,  *欠陥 ,  *自動分類 ,  走査電子顕微鏡 ,  欠陥検査 ,  画像処理

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

引用文献 (10件)：

• 酒井 薫, 前田俊二, “複数パターン情報を利用した統計的はずれ値検出による微小欠陥の認識手法,”情処学研報, 2006-CVIM-153, pp. 117-124, 2006.
• B. Hance, I. Ne’eman, and A. Skumanich, “Enhanced defect capture and analysis based on automatic defect classification at post-lithographic inspection,” Proc. SPIE, vol.3998, pp. 732-737, 2000.
• P. Wootton, B. Saville, A. Lutz, and J. Oakley, “Review sample shaping through the simultaneous use of multiple classification technologies in IMPACT ADC,” Proc. IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, pp. 207-217, 2001.
• K. Watanabe, Y. Takagi, K. Obara, H. Okuda, R. Nakagaki, and T. Kurosaki, “Efficient killer-defect control using reliable high-throughput SEM-ADC,” Proc.12th Annual IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, pp. 219-222, 2001.
• J. Ritchison, A. Ben-Porath, and E. Malocsay, “SEM based ADC evaluation and integration in an advanced process fab,” Proc. SPIE, vol.3998, pp. 258-268, 2000.

タイトルに関連する用語 (5件)： SEM ,  ADC ,  異物 ,  分類アルゴリズム ,  開発