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J-GLOBAL ID：200902252105714190   整理番号：05A0681421

プラズマCVD法でp-Si面に形成したa-C:H薄膜の光起電力特性

Photovoltaic Characteristics of a-C:H Films Prepared on p-Si by Plasma CVD
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著者 (3件)：
AKASAKA Hiroki

AKASAKA Hiroki について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について

, 
AOKI Yuichi

AOKI Yuichi について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について

, 
OHTAKE Naoto

OHTAKE Naoto について

(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN について


資料名：
New Diamond and Frontier Carbon Technology  (New Diamond and Frontier Carbon Technology)

New Diamond and Frontier Carbon Technology について


巻： 15  号： 3  ページ： 151-157  発行年： 2005年 
JST資料番号： L1952A  ISSN： 1344-9931  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ガラス状炭素膜のバンドギャップはsp2...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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光電池

光電池 について

,...
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分類 (3件)：
分類
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太陽電池 
(NC03084O)

太陽電池 について

,  電池一般 
(YB04010O)

電池一般 について

,  炭素とその化合物 
(YB02060D)

炭素とその化合物 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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プラズマCVD法

プラズマCVD法 について

, 
Si

Si について

, 
薄膜

薄膜 について

, 
光起電力

光起電力 について


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