5層のGaInNAs/GaAsから成る非対称に結合した量子井戸における電気反射効果

FUKUOKA Masayasu; TOYA Takahiro; SAWAI Yutaka; ARAKAWA Taro; TADA Kunio

文献

J-GLOBAL ID：200902252788627565 整理番号：09A0458634

5層のGaInNAs/GaAsから成る非対称に結合した量子井戸における電気反射効果

Electrorefractive Effect in GaInNAs/GaAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well

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資料名：
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C154.1-04C154.3 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

1.3μmの波長域で動作する5層のGaInNAs/GaAsから成る非対称に結合した量子井戸(FACQW)を提案し,その特性を理論的に解析した。FACQWの価電子帯構造をk・p摂動論に基づくLuttinger-Kohnハミルトニアンと非変分法を用いて解析した。GaInNAs/GaAsから成るFACQWは量子閉じ込めStark効果に因る特異な振る舞いを示し,吸収端から可成り離れた幅広い透明波長域において,低電場の下で大きな電気反射係数の変化(Δn/ΔF=3.9×10^-4cm/kV)をもたらすことが分かった。この特性は1.55μmの波長域で動作するInGaAs/InAlAsおよびInGaAsPから成るFACQWの特性に匹敵する。GaInNAs/GaAsから成るFACQWを使うと,1.3μmの波長域における位相シフトに基づいて超広帯域で超高速の光変調器およびスイッチ,そして他の機能性素子を作製できるものと思われる。また,1mmの位相変調器の駆動電圧は0.4eV程度であることが分かった。(翻訳著者抄録)

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その他の光伝送素子

引用文献 (15件)：

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