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J-GLOBAL ID：200902252815734409   整理番号：04A0568137

“核生成増強”法を用いた分子線エピタキシーにより成長させたInAs自己形成量子ドットの増強された光ルミネセンス

Enhanced photoluminescence of InAs self-assembled quantum dots grown by molecular-beam epitaxy using a “nucleation-augmented” method

著者 (4件)： CHIA C K (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore) ,  CHUA S J (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore) ,  MIAO Z L (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore) ,  CHYE Y H (Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 85  号： 4  ページ： 567-569  発行年： 2004年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs母体に埋め込んだ標記量子ドット(QD)のドット密度を...

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 核生成 ,  増強 ,  法 ,  分子線エピタキシー ,  成長 ,  InAs ,  自己形成 ,  量子ドット ,  光ルミネセンス