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J-GLOBAL ID：200902253085308332   整理番号：09A0729746

リソグラフィー技術を使わずシリコン基板のプリパターンニングで作製したp型シリコン基板上の直径200nm以下の高度に秩序化した六方晶配列垂直円筒ポア

Highly ordered hexagonally arranged sub-200nm diameter vertical cylindrical pores on p-type Si using non-lithographic pre-patterning of the Si substrate

著者 (3件)： ZACHARATOS Filimon (IMEL/NCSR “Demokritos”, Athens, GRC) ,  GIANNETA Violetta (IMEL/NCSR “Demokritos”, Athens, GRC) ,  NASSIOPOULOU Androula G. (IMEL/NCSR “Demokritos”, Athens, GRC)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 206  号： 6  ページ： 1286-1289  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上に通常のリソグラフィー技術を使わないで秩序配列したポアを作製する技術について報告する。この方法は,シリコンウエハに直接成長させた自己組織化したポーラス陽極酸化アルミナ(PAA)薄膜を通してシリコン基板のプリパターンニングを行うもので,シリコン基板上に直径200nm以下の高度に秩序化した六方晶配列垂直円筒ポアの陽極酸化された二次元アレイを作製することができた。シュウ酸水溶液の電解質液中でアルミ薄膜の電解酸化によって作製したPAAポアを通して,凹面状エッチピットが化学エッチングによりシリコン上に形成された。得られたポアは,直径180nm以下で高さ約1μmで完全な六法晶配列でシリコン表面に並んだ。

シソーラス用語： リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  ウエハ【IC】 ,  自己組織化 ,  陽極酸化処理 ,  *アレイ ,  半導体 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *細孔 ,  規則化 ,  *ナノ細孔
準シソーラス用語： *ナノポア ,  パターンニング

分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (9件)： リソグラフィー技術 ,  シリコン基板 ,  作製 ,  P型シリコン基板 ,  直径 ,  秩序化 ,  六方晶 ,  垂直 ,  ポア