薄膜ゲルマニウム-オン-絶縁体とシリコン-オン-絶縁体MOSFETの素子性能とスケーリング性能の比較

AN Xia; HUANG Ru; ZHANG Xing; WANG Yangyuan

文献

J-GLOBAL ID：200902253111375353 整理番号：05A0930504

薄膜ゲルマニウム-オン-絶縁体とシリコン-オン-絶縁体MOSFETの素子性能とスケーリング性能の比較

Comparison of device performance and scaling capability of thin-body GOI and SOI MOSFETs

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資料名：
巻： 20 号： 10 ページ： 1034-1038 発行年： 2005年10月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ゲルマニウム-オン-絶縁体(GOI)の素子性能をシリコン-オ...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

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