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J-GLOBAL ID：200902253444806114   整理番号：09A0249577

著しく小さなゲートおよびトンネル容量を持つ室温動作型カーボンナノチューブ単一ホールトランジスタ

Room-temperature-operating carbon nanotube single-hole transistors with significantly small gate and tunnel capacitances

著者 (5件)： OHNO Yasuhide (The Inst. of the Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  ASAI Yoshihiro (The Inst. of the Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  MAEHASHI Kenzo (The Inst. of the Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  INOUE Koichi (The Inst. of the Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (The Inst. of the Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 5  ページ： 053112  発行年： 2009年02月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で動作するカーボンナノチューブ単一ホールトランジスタを作製した。大きなチャージングエネルギーを得るために,小さなゲート容量の実現については25nm長のカーボンナノチューブトンネルをシャドウ蒸着(shadow evaporation)により作製し,また,小さなトンネル容量の実現については絶縁物をチャンネルと電極の間に挿入した。極めて小さなゲート容量(0.06aF)および小さなトンネル容量(0.3aF)を実現した。カーボンナノチューブ単一量子ドットのチャージングエネルギーを108meVと推定した。このデバイスに対して絶縁体無しで典型的なp型FET特性が得られた一方,ゲート電圧の関数としてのドレイン電流振動を明瞭に観測した。これらの結果は,カーボンナノチューブ単一電荷トランジスタが室温で動作するためには,小さなトンネル容量が必要であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  正孔 ,  *トランジスタ ,  蒸着 ,  ゲート【半導体】 ,  容量 ,  トンネル断面 ,  電荷
準シソーラス用語： *単一正孔トランジスタ ,  シャドウ蒸着 ,  トンネル容量 ,  単一電荷トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  トンネル ,  室温 ,  カーボンナノチューブ ,  単一ホールトランジスタ