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J-GLOBAL ID：200902253559371170   整理番号：05A0154099

サブ45nmノードCMOSのためのNi完全シリサイドゲートにおけるドーパントのスキャニングによる仕事関数調整と関連効果

Work function tuning through dopant scanning and related effects in Ni fully silicided gate for sub-45nm nodes CMOS

著者 (9件)： AIME D (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FROMENT B (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CACHO F (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CARRON V (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  FARJOT T (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  JULLIAN S (Philips Semiconductor, Crolles, FRA) ,  LAVIRON C (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  MOLINS R (Centre des Materiaux Pierre-Marie Fourt, Evry, FRA) ,  SOUIFI A (INSA de Lyon, Villeurbanne, FRA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004  ページ： 87-90  発行年： 2004年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリサイド化誘起不純物セグレゲーションによるφ<sub>m<...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： 完全シリサイド ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： サブ ,  ノード ,  CMOS ,  Ni ,  シリサイド ,  ゲート ,  ドーパント ,  スキャニング ,  仕事関数