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J-GLOBAL ID：200902253585575523   整理番号：05A0504246

SIサイリスタを用いたナノパルス電源による大気圧下でのダイヤモンド状炭素膜成膜

著者 (6件)： 近藤好正 (日本碍子) ,  斎藤隆雄 (日本碍子) ,  細野慎太郎 (東京工大 大学院) ,  今西雄一郎 (日本碍子) ,  中村幸則 (日本碍子) ,  大竹尚登 (東京工大 大学院)
資料名： SIデバイスシンポジウム講演論文集  (Proceedings. Symposium of Static Induction Devices)
巻： 17th  ページ： 9-14  発行年： 2004年07月02日 
JST資料番号： L3159A  ISSN： 1340-5853  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭素 ,...
準シソーラス用語： ナノパルス電源 ,...

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分類 (3件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  サイリスタ ,  パルス電源 ,  大気圧 ,  ダイヤモンド状炭素 ,  成膜