文献

J-GLOBAL ID：200902253849805190   整理番号：07A0410141

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)/フラーレン誘導体の2層膜をもとにした両極性電界効果トランジスタ

Ambipolar Field-Effect Transistors Based on Poly(3-hexylthiophene)/Fullerene Derivative Bilayer Films

著者 (5件)： KANETO Keiichi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  YANO Makoto (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SHIBAO Miho (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MORITA Takeomi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TAKASHIMA Wataru (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 4A  ページ： 1736-1738  発行年： 2007年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)膜と[6,6]-フ...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： 3-ヘキシルチオフェン

引用文献 (11件)：

• K. Kaneto, W. Y. Lim, W. Takashima, T. Endo, and M. Rikukawa: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000) L872.
• J. Nakamura, K. Murata, and K. Takahashi: Appl. Phys. Lett.87(2005)132105.
• E. von Hauff, J. Parisi, and V. Dyakonov: Thin Solid Films 511-512(2006)506.
• T. Yasuda and T. Tsutsui: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006) L595.
• J.-M. Verilhac, G. LeBlevennec, D. Djurado, F. Rieutord, M. Chouiki, J.-P. Travers, and A. Pron: Synth. Met.156(2006)815.

タイトルに関連する用語 (6件)： 3-ヘキシルチオフェン ,  フラーレン誘導体 ,  2層膜 ,  もと ,  両極性 ,  電界効果トランジスタ