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J-GLOBAL ID：200902253949046785   整理番号：06A0895485

不揮発性水素化非晶質シリコン薄膜トランジスタメモリ素子

Nonvolatile hydrogenated-amorphous-silicon thin-film-transistor memory devices

著者 (2件)： KUO Yue (Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., Texas A&M Univ., Coll. Station, 3122 TAMU, Texas 77843) ,  NOMINANDA Helinda (Thin Film Nano and Microelectronics Res. Lab., Texas A&M Univ., Coll. Station, 3122 TAMU, Texas 77843)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 89  号： 17  ページ： 173503-173503-3  発行年： 2006年10月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiN_xゲート誘電体層に埋め込まれたa...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...

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分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性 ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  メモリ素子