水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの比較としてのアモルファスInGaZnO<sub>4</sub>薄膜トランジスタの二重ゲート特性

TAKECHI Kazushige; NAKATA Mitsuru; AZUMA Kazufumi; YAMAGUCHI Hirotaka; KANEKO Setsuo

文献

J-GLOBAL ID：200902254751221367 整理番号：09A0934588

水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの比較としてのアモルファスInGaZnO₄薄膜トランジスタの二重ゲート特性

Dual-Gate Characteristics of Amorphous InGaZnO₄ Thin-Film Transistors as Compared to Those of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors

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高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=09A0934588&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

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資料名：
巻： 56 号： 9 ページ： 2027-2033 発行年： 2009年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

アモルファスInGaZnO₄(a-IGZO)薄膜トランジスタが,LCDのようなフラットパネルディスプレイ用に注目されている。本稿では,二重ゲート構造を用いて,a-IGZO TFT及びa-Si:H TFTのトップ及びボトムゲート電界間相互作用を比較した。ここでa-IGZO TFTにユニークである挙動に注目した。TFT特性におけるトップゲート電圧の影響が,二つの材料でどのように変化するかを検討した。a-Si:Hからa-IGZOを区別する主な特性のひとつが,前者でpチャネルTFT取得の困難性であった。この困難性は,酸化物半導体のエネルギーバンド構造の固有の性質が原因であった。従来のシリコンオンインシュレータ(SOI)モデルを用いて,トップ界面の正孔蓄積に関して二つのTFTタイプ間に見られる二重ゲート特性差の背後のメカニズムを解析した。

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トランジスタ , 固体デバイス製造技術一般

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水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの比較としてのアモルファスInGaZnO4薄膜トランジスタの二重ゲート特性

水素化アモルファスシリコン薄膜トランジスタの比較としてのアモルファスInGaZnO₄薄膜トランジスタの二重ゲート特性