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J-GLOBAL ID：200902255221816757   整理番号：03A0706700

3インチ直径基板上に成長させた4H-SiCエピタキシャル層の均一性

Uniformity of 4H-SiC epitaxial layers grown on 3-in diameter substrates

著者 (9件)： NISHIO J (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA M (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA K (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  OHNO T (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  ISHIDA Y (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI T (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI T (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA T (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 258  号： 1/2  ページ： 113-122  発行年： 2003年10月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平型高温壁炉を用いて成長させたホモエピタキシャル薄膜の厚さ...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： インチ ,  直径 ,  成長 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  均一性