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J-GLOBAL ID：200902255223817190   整理番号：09A0033523

190KまでのCurie温度を持つGe_0.92Mn_0.08Teエピ層におけるキャリア誘起の強磁性

Carrier-induced ferromagnetism in Ge_0.92Mn_0.08Te epilayers with a Curie temperature up to 190 K

著者 (7件)： FUKUMA Y. (Yamaguchi Prefectural Industrial Technol. Inst., 4-1 Asutopia, Ube 755-0195, JPN) ,  ASADA H. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Graduate School of Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai ...) ,  MIYAWAKI S. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Graduate School of Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai ...) ,  KOYANAGI T. (Dep. of Material Sci. and Engineering, Graduate School of Sci. and Engineering, Yamaguchi Univ., 2-16-1 Tokiwadai ...) ,  SENBA S. (Ube National Coll. of Technol., 2-14-1 Tokiwadai, Ube 755-8555, JPN) ,  GOTO K. (Ube National Coll. of Technol., 2-14-1 Tokiwadai, Ube 755-8555, JPN) ,  SATO H. (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ., 2-313 Kagamiyama, Higashi-Hiroshima 739-8526, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 25  ページ： 252502  発行年： 2008年12月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IV-VIの希釈磁性半導体Ge_0.92Mn_0.08Teエピ層が,BaF₂基板上に分子ビーム法で成長させる。自発磁性化のような強磁性挙動や,保磁力やCurie温度T_Cは,ホール濃度pによって変化する。高いpを持つGe_0.92Mn_0.08Teで,均一強磁性に期待される,強い磁気異方性や,磁性化の温度依存性が見られ,このことはホールによる長い領域の規則化を暗示している。最高のT_Cは,190Kで,1.57×10²¹cm^-3である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 強磁性 ,  Curie温度 ,  *テルル化物 ,  マンガン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  エピタクシー ,  *磁性半導体 ,  *MBE成長 ,  磁性薄膜 ,  RHEED ,  *磁化 ,  半導体薄膜 ,  *希薄磁性半導体
準シソーラス用語： *希釈磁性半導体

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Curie温度 ,  エピ層 ,  キャリア ,  誘起 ,  強磁性