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J-GLOBAL ID：200902255432686620   整理番号：09A0123476

CSD生成PZT薄膜へのAFMによる直接ドメイン書き込み

Direct domain writing in CSD-derived PZT thin films by AFM

著者 (5件)： SUZUKI H. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  WAKIYA N. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SAKAMOTO N. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  HOSHI Y. (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  AKEDO J. (AIST, Ibaraki, JPN)
資料名： Transactions of the Materials Research Society of Japan  (Transactions of the Materials Research Society of Japan)
巻： 33  号： 4  ページ： 1243-1245  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： L4468A  ISSN： 1382-3469  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体PZT薄膜は不揮発性メモリーあるいはMEMSへの利用が期待されている。PZT薄膜の誘電特性はよく理解されているが,圧電特性に関する理解は十分ではない。その原因の一つとして,組織制御可能な薄膜堆積法の欠如が挙げられる。本研究では,化学溶液堆積(CSD)法により異なる組成のPZT薄膜をSi基板上に堆積し,誘電特性とドメインのスイッチング特性に与える微細構造の影響を調べた。堆積後,電場アシストアニール(EFA-A)法によるアニールを行った。Ti濃度の増加とアニールにより誘電特性の向上が認められた。Zr/Ti比が30/70の組成のEFA-Aアニールを加えた膜に,AFMによるドメインの直接書き込みが可能であることを明らかにした。

シソーラス用語： *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  溶液成長 ,  *原子間力顕微鏡 ,  分域 ,  化学組成 ,  モル比 ,  誘電性 ,  基板 ,  ケイ素 ,  カルボン酸塩 ,  鉛化合物 ,  チタン化合物 ,  アルコラート ,  ジルコニウム化合物 ,  スイッチング ,  焼なまし ,  電場 ,  脂肪酸 ,  *ドメイン構造
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  *CSD法 ,  *PZT【鉛化合物】 ,  アニール ,  *ドメイン ,  *直接描画 ,  誘電特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

物質索引 (3件)： テトライソプロポキシチタン ,  テトラプロポキシジルコニウム(IV) ,  酢酸鉛

引用文献 (11件)：

• J. F. Scott and C. A. Paz deAraujo, Science 246, 1400(1989).
• P. Muralt, J. Micromech. Microeng. 10, 136(2000).
• D. Damjanovic, Rep. Prog. Phys. 61, 1267(1998).
• H. D. Chen, K. R. Udayakumar, C. J. Gaskey, L. E. Cross, J. J. Bernstein, and L. C. Niles, J. Am. Ceram. Soc. 79, 2189(1996).
• D. S. Fu, K. Ishikawa, M. Minakata, and H. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 5683(2001).

タイトルに関連する用語 (6件)： CSD ,  PZT ,  薄膜 ,  AFM ,  ドメイン ,  書き込み