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J-GLOBAL ID：200902255650275713   整理番号：05A0930921

シリコン基板上に作製した配向性AlN薄膜の圧力応答性

Pressure Response of Aluminum Nitride Thin Film Prepared on Silicon Substrates

著者 (6件)： 大石康宣 (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  野間弘昭 (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  岸和司 (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  上野直広 (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  秋山守人 (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ) ,  蒲原敏浩 (産業技術総合研 実環境計測・診断研究ラボ)
資料名： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 113  号： 1322  ページ： 700-702  発行年： 2005年10月01日 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年は炭酸ガス排出規制の見地からエンジンの更なる低燃費化が必...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： AlN

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分類 (2件)： 非金属材料へのセラミック被覆  (YC02040K) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

引用文献 (11件)：

• 1) Zakar, E., Polcawich, R., Dubey, M., Piekarski, B., McLane, G., Conrad, J., Piekarz, R., Wickenden, D., Champion, J., D'Amico, W., Hollis, M. S. L., McMullen, K. and Porter, D., Integrated Ferroelectrics, Vol. 41, pp. 1781-1788 (2001).
• 2) Nagata, K. and Harashima, E., Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 35, pp. 5008-5011 (1996).
• 3) Someno, Y. and Hirai, T., Materials Japan, Vol. 30, pp. 913-922 (1991) [in Japanese].
• 4) Turner, R. C., Fuierer, P. A., Newnham, R. E. and Shrout, T. R., Applied Acoustics, Vol. 41, pp. 299-324 (1994).
• 5) Guy, I. L., Muensit, S. and Goldys, E. M., Appl. Phys. Lett., Vol. 75, pp. 4133-4135 (1999).

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  作製 ,  配向性 ,  AlN ,  薄膜 ,  応答性