研究者

J-GLOBAL ID：200901046751516825 更新日: 2020年06月06日

岸和司

キシカズシ | Kishi Kazushi

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=K06744570

研究分野 (1件)：無機材料、物性

競争的資金等の研究課題 (1件)：

高温構造材料用セラミックス及びセラミックス基複合材料の製造と評価

MISC (9件)：

インコネル基板上に作製した配向性AlN薄膜の高圧応答性と高温耐久性. JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN. 2006. 114. 7. 657-659
シリコン基板上に作製した配向性AlN薄膜の広帯域及び高温における圧電応答性. 日本セラミックス協会学術論文誌. 2006. 114. 8. 722-724
大石康宣, 岸和司, 秋山守人, 野間弘昭, 大嶋一郎. インコネル基板上に作製した配向性AlN薄膜の高温高圧応答性. 日本セラミックス協会学術論文誌. 2006. 114. 1327. 296-298
Kazushi Kishi, Yasunobu Ooishi, Hiroaki Noma, Eizo Ushijima, Naohiro Ueno, Morito Akiyama, Tatsuo Tabaru. Measurement of output voltage of aluminum nitride thin film as a pressure sensor at high temperature. JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY. 2006. 26. 15. 3425-3430
大石康宣, 岸和司, 秋山守人, 野間弘昭, 田原竜夫. AlN薄膜圧力センサの電気モデルによる基本特性の解析. 日本セラミックス協会学術論文誌. 2005. 113. 1324. 816-818

もっと見る

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM