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J-GLOBAL ID：200902255796562412   整理番号：03A0151339

サブミクロン-シリコンデバイス中の不均一応力に関するRaman分光による決定

Raman-spectroscopic determination of inhomogeneous stress in submicron silicon devices.

著者 (7件)： DIETRICH B (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  BUKALO V (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  FISCHER A (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  DOMBROWSKI K F (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  BUGIEL E (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  KUCK B (IHP, Frankfurt(Oder), DEU) ,  RICHTER H H (IHP, Frankfurt(Oder), DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 8  ページ： 1176-1178  発行年： 2003年02月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題不均一応力について,紫外Raman顕微分光法測定により調...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： Raman顕微分光法

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分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  シリコンデバイス ,  不均一 ,  応力 ,  Raman分光