文献

J-GLOBAL ID：200902255897653052   整理番号：06A0113761

変調ドープのn型ZnSe/BeTe-II型量子井戸における放射再結合に及ぼす電場および磁場の効果

Electric- and magnetic-field effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells

著者 (6件)： JI Ziwu (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  MINO Hirofumi (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  OTO Kenichi (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  AKIMOTO Ryoichi (AIST, Ibaraki, JPN) ,  ONO Kazuo (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  TAKEYAMA Shojiro (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 21  号： 1  ページ： 87-90  発行年： 2006年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変調ドープのn型ZnSe/BeTe-II型量子井戸における放...

シソーラス用語： 変調ドーピング ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0113761&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0503B") }}

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 変調ドープ ,  ZnSe ,  量子井戸 ,  放射再結合 ,  電場 ,  磁場