完成しつつあるSiC中へのイオン注入技術とそのデバイスへの応用

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J-GLOBAL ID：200902255987775939 整理番号：03A0017645

Maturing ion-implantation technology and its device applications in SiC.

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資料名：
巻： 47 号： 2 ページ： 213-222 発行年： 2003年02月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

過去10年間にわたるSiC中への包括的なドナー,アクセプタ,...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 固体デバイス製造技術一般

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