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J-GLOBAL ID：200902256099032657   整理番号：03A0284503

テトラキスジエチルアミドハフニウムを経由して析出したHfO₂ゲート誘電体

HfO₂ Gate Dielectrics Deposited via Tetrakis Diethylamido Hafnium

著者 (9件)： SCHAEFFER J (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  EDWARDS N V (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  LIU R (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  ROAN D (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  HRADSKY B (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  GREGORY R (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  KULIK J (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  DUDA E (Motorola, Inc., Texas, USA) ,  VOIGHT S (Motorola, Inc., Texas, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 150  号： 4  ページ： F67-F74  発行年： 2003年04月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVD(有機金属化学気相成長法)を用いて,テトラキスジエ...

シソーラス用語： 有機ハフニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 有機金属化学気相成長法

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分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム

タイトルに関連する用語 (3件)： 析出 ,  HfO2 ,  ゲート誘電体