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J-GLOBAL ID：200902256240276719   整理番号：05A0418080

高しきい値電圧をもつ埋込みゲートエンハンスメント-モードGaN HEMT

Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage

著者 (4件)： LANFORD W.B. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  TANAKA T. (Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN) ,  OTOKI Y. (Hitachi Cable Ltd, Ibaraki, JPN) ,  ADESIDA I. (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 41  号： 7  ページ： 449-450  発行年： 2005年03月31日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/AlGaN材料系を用いた高電子移動度トランジスタ(H...

シソーラス用語： *HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： しきい値電圧 ,  埋込み ,  GaN ,  HEMT