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J-GLOBAL ID：200902256819920105   整理番号：08A0150460

2層グラフェンデバイスにおけるゲート誘起絶縁状態

Gate-induced insulating state in bilayer graphene devices

著者 (5件)： OOSTINGA Jeroen B. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  HEERSCHE Hubert B. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  LIU Xinglan (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  MORPURGO Alberto F. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  VANDERSYPEN Lieven M.K. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 7  号： 2  ページ： 151-157  発行年： 2008年02月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数原子層のグラフェンは,室温でSiの10倍のキャリア移動度を...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： *黒鉛 ,...

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分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 2層グラフェン ,  ゲート ,  誘起 ,  絶縁