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J-GLOBAL ID：200902257075761581   整理番号：07A0739501

p型およびn^-型GaN/サファイア基板上のエンハンスメントモードnチャネルGaN MOSFET

Enhancement-Mode n-Channel GaN MOSFETs on p and n^- GaN/Sapphire Substrates

著者 (3件)： HUANG W. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  KHAN T. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA) ,  CHOW T. P. (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, USA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 18th  ページ： 309-312  発行年： 2006年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,SiC MOSFETとGaN HEMTの開発が盛んであ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： *GaN ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  サファイア基板 ,  エンハンスメントモード ,  Nチャネル ,  MOSFET